Samsung, 12nm işlem teknolojisinde DDR5 DRAM üretimine başladı ve DDR5-7200 üzerinde çalışıyor

Samsung Perşembe günü yaptığı açıklamada, en son 12nm üretim sürecinde DRAM yongalarının seri üretimine başladığını söyledi. Yeni üretim düğümü, Samsung’un DRAM donanımının güç tüketimini azaltmasına ve önceki nesil düğüme kıyasla maliyetlerini önemli ölçüde düşürmesine olanak sağladı.

Samsung’un açıklamasına göre, şirketin 12nm üretim süreci 16Gb DDR5 bellek yongaları üretmek için kullanılıyor. Şirket zaten bu kapasitede (K4RAH086VB-BCQK gibi) DDR5 yongaları üretiyor olsa da, daha yeni, daha küçük bir 12 nm işlemeye geçiş, güç tüketimi ve kalıp boyutu açısından karşılığını verdi. Şirketin önceki nesil düğümünde (14nm) üretilen DDR5 kalıplarıyla karşılaştırıldığında, yeni 12nm kalıplar %23’e kadar daha az güç tüketimi sağlar ve Samsung, çip başına %20 daha fazla kalıp üretebilir (örneğin, bir DDR5 kalıbı çok daha küçük).

Samsung, 12nm DRAM üretim sürecindeki ana yeniliğin, DRAM hücre kapasitörleri için boyutlarını ve boyutlarını artırmadan performansı artırmak için hücre kapasitesini artırmasını sağlayan yeni bir yüksek kaliteli malzemenin kullanılması olduğunu söylüyor. Bir DRAM hücresinin daha yüksek kapasitesi, DRAM hücresinin daha fazla veri depolayabileceği ve güç tüketen yenileme döngülerini azaltabileceği ve böylece performansı artırabileceği anlamına gelir. Bununla birlikte, daha büyük kapasitörler genellikle daha yüksek hücre boyutuna ve ölüme neden olur, bu da ortaya çıkan kalıbı daha pahalı hale getirir.

Dinamik bellek oluşturucular, bununla yıllardır yüksek kaliteli malzemeler kullanarak uğraşıyorlar, ancak bellek oluşturucuların verimleri ve üretim altyapılarını da dikkate almaları gerektiğinden, bu malzemeyi bulmak her yeni düğümde daha da zorlaşıyor. Görünüşe göre Samsung, konuyla ilgili herhangi bir açıklama yapmasa da 12nm düğümü ile bunu başarmış durumda. Kapasitörler gibi analog bileşenler, mikro işlem düğümlerini kullanarak daha fazla küçülmeyi durduran ilk yonga parçaları arasında yer aldığından, Samsung’un kalıbının boyutunu anlamlı bir miktarda azaltmayı başarması oldukça dikkat çekici.

Samsung, yeni, daha kaliteli bir malzeme sunmanın yanı sıra, performans ve güç tüketimi arasında önceki modellere göre daha iyi bir denge sağlamak için 12nm DDR5 CPU’larında çalışma voltajını ve gürültüyü de azalttı.

Samsung’un 12nm DRAM teknolojisinin bir yönü, şirketin 3.^{Araştırma ve Geliştirme} Aşırı ultraviyole litografi kullanan bellek üretim düğümü. İlk düğüm olan D1x, tamamen bir konsept kanıtı olarak tasarlandı ve 2021’den beri kullanımda olan halefi D1a, beş katman için EUV kullanıyor. Bu arada, Samsung’un 12nm düğümünün EUV araçlarını ne ölçüde kullandığı net değil.

Samsung Electronics DRAM Ürünleri ve Teknolojilerinden Sorumlu Başkan Yardımcısı Jooyoung Lee, “Samsung’un endüstri lideri 12nm sınıfı DDR5 DRAM’i, farklılaştırılmış işleme teknolojisini kullanarak etkileyici bir performans ve güç verimliliği sunuyor” dedi.

Bu arada Samsung, yeni 12nm DDR5 belleğiyle daha yüksek bellek hızları da hedefliyor. Şirkete göre bu kalıplar, şu anda resmi JEDEC spesifikasyonunun izin verdiğinden çok daha fazla olan DDR5-7200’de (7.2Gbps/pin) çalışabilir. Gereken çabadan bahsedilmiyor, ancak başka hiçbir şey olmasa da, gelecekteki XMP/EXPO bellek kombinasyonları için biraz umut veriyor.